SN8100包裝盒依然采用了WD_BLACK頗有辨識度的設(shè)計(jì)，整體為啞光黑色，在字符和硬盤圖片上采用了亮面設(shè)計(jì)，在型號、容量、速度等重要參數(shù)上采用了鮮明的橙色警告色字符。

拆開包裝，內(nèi)容物十分簡潔，SN8100靜靜地躺在吸塑盒中，吸塑盒下方則是一疊說明書，用黑色圓形封條粘著，有點(diǎn)儀式感但也不會太花哨。此外并未附送螺絲、螺絲刀之類的配件，目前支持PCIe 5.0 M.2 SSD的主板幾乎都采用了免工具設(shè)計(jì)，因此也算是環(huán)保了。

取出固態(tài)硬盤本體，正面覆蓋著黑色亮面的銘文標(biāo)簽，帶有容量、型號、SN碼等重要內(nèi)容，并未全部覆蓋主控，而是露出了半截，更方便與主板散熱片接觸散熱。

翻到反面，非常簡單，僅有一些認(rèn)證標(biāo)志，因?yàn)?TB版本為單面顆粒設(shè)計(jì)，因此背面并不會有電子元件，左下方印有閃迪的Logo，但在之前的型號（如SN850X）上則未出現(xiàn)過。

通過Flash ID軟件進(jìn)行查詢，可知SN8100采用了閃迪定制版SM2508主控，顆粒為218層的閃迪BiCS8 TLC 3D CBA NAND，屬于旗艦配置。采用定制IP的SM2508主控的PCIe 5.0固態(tài)硬盤均較為冷靜，很少出現(xiàn)大火爐。此外，閃迪自家的BiCS8顆粒較之BiCS6更加節(jié)能高效，因此SN8100在功耗上也會有不錯的表現(xiàn)，其官宣運(yùn)行狀態(tài)下功耗為7W甚至以下。 

理論性能測試

由于老生常談的原因（AMD順序讀寫高，intel 4K隨機(jī)強(qiáng)），本次測試分別用到了AMD以及intel平臺，其中僅順序讀寫和全盤寫入等測試在AMD平臺上進(jìn)行，其余測試均在intel平臺上進(jìn)行。具體配置可參考下圖：

CrystalDiskMark

首先測試一下CrystalDiskMark，看看SN8100的順序讀寫性能是否可以達(dá)到標(biāo)稱值。

首先是在AMD平臺上的測試，憑借著AMD平臺512Byte的大包，順序讀取速度幾乎達(dá)到了PCIe 5.0 x 4的帶寬上限，高達(dá)14956MB/s！同時，寫入速度也超過標(biāo)稱，達(dá)到了14103MB/s！在一眾PCIe 5.0硬盤中拔得頭籌。

4K讀寫方面，受制于AMD平臺特性，4K讀寫較之intel平臺稍顯落后，不過即便是帶著腳鐐跳舞，其Q1T1單線程4K讀取也能達(dá)到106MB/s的成績，而這一成績其他PCIe 5.0旗艦盤在intel平臺上都難以取得。

再來看看intel平臺的成績，由于酷睿Ultra 200系列臺式機(jī)平臺的架構(gòu)設(shè)計(jì)，其順序讀寫速度一般僅能跑到12000MB/s，因此我們并未采用最新的平臺，而是使用了i9-13900K搭配Z790主板，并使用M.2 PCIe擴(kuò)展卡進(jìn)行測試。

通過與AMD平臺的對比可知，SN8100在intel平臺上的順序讀寫速度雖然稍有下降，但是在4K隨機(jī)讀寫方面卻是大幅提高，例如其Q1T1的單線程4K讀取已經(jīng)達(dá)到了131MB/s，寫入則達(dá)到444MB/s，幾乎超越了市場上所有消費(fèi)級PCIe 5.0硬盤，幾乎屠榜。

ATTO Disk Benchmark

我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X很少會出現(xiàn)寫入或者讀取大體積文件，實(shí)際上更多地是處理零碎的小文件，ATTO Disk Benchmark通過測試512B~64MB不同大小的文件來直觀地呈現(xiàn)出固態(tài)硬盤在讀寫小體積文件時的性能。

通過在intel平臺上的測試結(jié)果可見，當(dāng)文件體積達(dá)到128KB時，SN8100的讀寫速度開始接近穩(wěn)定值，在1MB以后，寫入速度基本穩(wěn)定11.8GB/s，讀取速度基本穩(wěn)定在

12GB左右。此外，更小體積文件的讀寫速度也不錯，在512B（0.5KB）的小文件的寫入速度可達(dá)到91MB/s，讀取可達(dá)87MB/s。

PCMARK 10 & 3DMARK

相比于直接測試硬盤讀寫的跑分軟件，PCMARK 10的跑分更傾向于模擬日常應(yīng)用、游戲的操作流程，并根據(jù)硬盤速度來進(jìn)行打分，因此該跑分對于日常使用而非極客玩家更加參考意義。

在PCMARK 10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試，SN8100跑分達(dá)7220分，帶寬為1093.76MB/s，平均存取時間為22微秒。

在快速系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試中，SN8100跑分達(dá)8687分，帶寬為1007.67MB/s，平均存取時間為14微秒。

在數(shù)據(jù)盤基準(zhǔn)測試中，SN8100跑分高達(dá)13386分，帶寬為1879.75MB/s，平均存取時間為11微秒。

在3DMARK的存儲基準(zhǔn)測試中，SN8100取得了6517分的成績，平均帶寬為1093.76MB/s，平均存取時間為27微秒。

四項(xiàng)測試表明，SN8100在PCMARK 10中表現(xiàn)優(yōu)秀，基本超越了其他品牌的旗艦級PCIe 5.0固態(tài)硬盤，因此在實(shí)際使用中可以體驗(yàn)到更快的游戲加載速度和系統(tǒng)響應(yīng)速度。

實(shí)際性能測試

FF14 Benchmark

雖然現(xiàn)在很多游戲自帶了Benchmark基準(zhǔn)測試功能，但是也僅有《最終幻想14》等游戲記錄了游戲加載速度。誠然，游戲加載速度對于《最終幻想14》這種網(wǎng)絡(luò)游戲而言是十分重要的，不然讓一眾隊(duì)友等你無疑會很尷尬。

在《最終幻想14》的官方測試程序中，SN8100的總計(jì)加載時間僅僅只有5.1秒，雖然看上去不多，但是對于爭分奪秒的網(wǎng)絡(luò)游戲而言確實(shí)是關(guān)乎勝利與否的。

星空圖加載測試

除了游戲，剪視頻、修圖之類的生產(chǎn)力操作也考驗(yàn)硬盤的讀寫速度。為此我們將一張24g大小的星空圖PSB文件導(dǎo)入到SN8100中，然后再用Photoshop打開，并進(jìn)行計(jì)時，以測試SN8100的速度。

實(shí)測，從SN8100中打開24g的星空圖文件，加載全程耗時13.5秒，比我們之前測試的PCIe 5.0旗艦級固態(tài)硬盤更快，領(lǐng)先約0.5秒。

全盤寫入與溫度測試

由于目前的消費(fèi)級固態(tài)硬盤都采用了SLC Cache的模擬緩存設(shè)計(jì)，因此標(biāo)稱的峰值性能往往僅能在寫入中小體積文件時實(shí)現(xiàn)，一旦遇上動輒數(shù)百G的文件，就會發(fā)生掉速，因此進(jìn)行全盤寫入測試可以很好地觀察到硬盤的緩存策略，同時也可以觀察到硬盤的溫度表現(xiàn)。

本次全盤寫入測試是在AMD開放式平臺上所進(jìn)行，進(jìn)行一組對照測試。首先安裝主板自帶散熱片進(jìn)行輔助散熱，模擬大多數(shù)用戶的實(shí)際使用情況。其次拆下主板散熱片進(jìn)行純被動散熱，以模擬硬盤在極端情況下的表現(xiàn)。測試使用的軟件為AIDA64。

在使用主板散熱片進(jìn)行輔助散熱的全盤寫入測試中，SN8100 2TB版在前10%（約180G）的寫入速度維持在10000MB/s以上，在10%~40%上下波動，平均寫入速度維持在3500MB/s左右，在40%~50%時進(jìn)一步降低，此時平均寫入速度約為3000MB/s。

當(dāng)全盤寫入一半容量時，SN8100開始進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)，也就是大家俗稱的緩?fù)鈱懭胨俣?，約為2000MB/s。

全盤寫入共計(jì)耗時27分14秒。

卸下主板散熱片，僅憑借被動散熱，SN8100的全盤寫入耗時略微增加至28分27秒，緩存和垃圾回收策略并未改變，前10%可以維持峰值寫入速度，半盤以后進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。

在全盤寫入接近結(jié)束時，通過FLIR ONE EDGE熱成像儀觀察2TB的SN8100表面溫度。其中主控處溫度最高，在83.5度上下浮動，DRAM緩存顆粒處溫度為79.1度，尾部顆粒溫度則為75.8度。對于一塊PCIe 5.0旗艦固態(tài)硬盤而言，這個成績是可以接受的。

寫在最后

WD_BLACK SN8100是閃迪推出的首款面向零售市場的PCIe 5.0消費(fèi)級固態(tài)硬盤，其性能毫不遜色，在各家旗艦級PCIe 5.0固態(tài)硬盤中亦算是佼佼者，填補(bǔ)了WD_BLACK系列在PCIe 5.0時代的產(chǎn)品空窗。

從實(shí)測數(shù)據(jù)來看，SN8100在順序讀寫方面幾乎摸到了PCIe 5.0 x4通道的理論上限，在4K小文件讀寫、系統(tǒng)響應(yīng)、游戲加載乃至大型圖像文件處理等多方面都有優(yōu)異表現(xiàn)。

總的來說，WD_BLACK SN8100不僅是一塊參數(shù)漂亮的PCIe 5.0 SSD，更是當(dāng)前玩家與創(chuàng)作者在高端消費(fèi)級存儲市場中的首要選擇。對于追求極致速度和穩(wěn)定體驗(yàn)的用戶來說，再一次選擇這塊黑盤，不會后悔。