首發(fā)第八代BiCS FLASH

在2024年里，SSD制造商們紛紛推出PCIe 5.0接口的M.2 SSD，這些產(chǎn)品大多追求極致性能，順序讀取速度往往達(dá)到了14000 MB/s左右，價(jià)格在1.5K+，甚至是超過(guò)2K。很顯然，鎧俠是一款定位不同的PCIe 5.0 SSD，它目前共有1TB、2TB兩個(gè)容量，二者速度非常接近，順序讀取速度同為10000 MB/s，隨機(jī)讀取、寫入速度為1300000 IOPS、1400000 IOPS，差別是1TB版本順序?qū)懭胨俣葹?900 MB/s，2TB版本順序?qū)懭胨俣葹?200 MB/s。但無(wú)論是哪個(gè)版本，順序讀寫速度都要超越PCIe 4.0 SSD。而且壽命上比SD10高出不少，1TB、2TB耐久度分別是600 TBW、1200 TBW。

根據(jù)官方介紹，VD10是鎧俠首次將第八代BiCS FLASH芯片應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)SSD，閃存芯片類型屬于TLC。1Tb TLC第八代BiCS FLASH芯片層數(shù)達(dá)到218層，存儲(chǔ)密度高達(dá)18.3Gb/mm2，接口帶寬達(dá)到3.2Gbps，并使用了CBA與OPS兩項(xiàng)技術(shù)。BiCS FLASH是由兩部分組成的，一是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中陣列，另一個(gè)是控制存儲(chǔ)單元陣列的CMOS電路，在CBA（CMOS directly Bonded to Array，CMO 直接鍵合到陣列）技術(shù)下，兩部分電路采用了專門優(yōu)化的制造工藝，然后在高溫下將二者連接，能有效減少電氣干擾，提升功耗、性能表現(xiàn)。而OPS（On Pitch SGD）則能消除芯片中無(wú)效存儲(chǔ)單元（Dummy memory string），進(jìn)而提升芯片的存儲(chǔ)密度。

CBA

OPS

在撕開VD10貼紙后，我們能看到SSD上面擁有2塊閃存芯片（1TB版本）以及來(lái)自群聯(lián)的主控，SSD采用單面PCB設(shè)計(jì)，背面沒(méi)有任何芯片，可見這是一塊DRAM-LESS SSD。群聯(lián)主控標(biāo)記的型號(hào)是PS5031-E31-61，與之前曝光過(guò)的群聯(lián)PS5031-E31T型號(hào)（PS5031-E31-75）略有差異，但考慮是PS5031-E31T順序讀寫為10800 MB/s，隨機(jī)讀寫速度為1500K IOPS，估計(jì)PS5031-E31-61也是群聯(lián)PS5031-E31T系列的一員，是一塊面向低功耗平臺(tái)的主控芯片，使用7nm工藝制造。

而閃存芯片上印有了鎧俠Logo，原廠顆粒無(wú)誤，比較特別的是兩塊芯片是長(zhǎng)邊與SSD長(zhǎng)邊是平行的，即芯片旋轉(zhuǎn)了90°布局，比較少見。

順便一提的是VD10的貼紙不是一張簡(jiǎn)單貼紙，在撕開后能看到背面帶有銅箔，能夠輔助芯片散熱。

性能測(cè)試

從DRAM-LESS設(shè)計(jì)、主控芯片可以清楚感受是鎧俠VD10是一塊追求性能與功耗平衡的SSD，它實(shí)際性能表現(xiàn)如何呢，一起來(lái)看看。測(cè)試平臺(tái)使用Intel 13900K處理器與ROG MAXIMUS Z790 HERO主板，SSD通過(guò)主板自帶PCIe 5.0 X16轉(zhuǎn)PCIe 5.0 M.2轉(zhuǎn)接卡連接到主板，詳細(xì)配置見下圖。

第一項(xiàng)測(cè)試是CrystalDiskMark，看看VD10能否達(dá)到理論性能，其實(shí)測(cè)順序讀取速度為10257 MB/s，順序?qū)懭霝?477 MB/s，隨機(jī)讀取速度為131261 IOPS，隨機(jī)寫入速度為1558699 IOPS，所以數(shù)據(jù)均高于官方值，尤其隨機(jī)寫入速度上。

接下來(lái)是ATTO測(cè)試，在順序性能方面，VD10讀取峰值是9.58 GB/s（@8MB），寫入峰值是7.96 GB/s（@16MB、32MB），速度與標(biāo)稱值非常接近。

隨機(jī)性能方面，讀取峰值是178.59K IOPS（@4KB），寫入峰值是168.84K IOPS（2KB），速度超過(guò)標(biāo)稱值。

接下來(lái)是AIAD64的全盤讀寫性能，在Linear Read設(shè)定下，VD10全盤寫入時(shí)間為27分42秒。

而在Linear Write設(shè)定，VD10全盤寫入耗時(shí)為37分17秒，在前23%容量SSD能夠保持較高的速度，估計(jì)SLC緩存約為214GB，在23%至63%之間SSD性能有明顯下落并保持有規(guī)律的波動(dòng)，而在63%后性能會(huì)進(jìn)一步下跌，波動(dòng)也沒(méi)有規(guī)律可言。

下一組測(cè)試是3DMARK與PCMARK，在3DMARK中VD10得分總分是4315，帶為728.04 MB/s，平均存取時(shí)間是41 us。

而到了PCMARK，VD10的帶寬為758.11 MB/s，平均存取時(shí)間為34us。

在今天拍攝、剪輯視頻已經(jīng)離不開SSD，尤其是后者，我們也測(cè)試了VD10在不同視頻應(yīng)用場(chǎng)景下的性能。首先是AJA System Test，設(shè)定為：4K分辨率64GB文件大小、10bit YUV編碼，VD10的讀取速度為6534 MB/s、309 FPS，寫入速度為7387 MB/s、349 FPS，可見其應(yīng)對(duì)多軌道4K視頻編輯無(wú)壓力。

同時(shí)我們測(cè)試了VD10在松下GH7外錄視頻性能表現(xiàn)，SSD通過(guò)USB-C硬盤盒連接GH7，相機(jī)視頻設(shè)定為5.3K/30P ProRes RAW HQ，此時(shí)碼率高達(dá)4.2Gbps，VD10芯片通過(guò)導(dǎo)熱貼連接硬盤盒的金屬外殼進(jìn)行被動(dòng)散熱。

在室溫約為21℃下，VD10可以連續(xù)不間斷錄制40分鐘19秒的ProRes RAW視頻，即連續(xù)寫入638GB視頻文件。

在VD10錄制的視頻通同時(shí)，我們通過(guò)FLIR ONE Pro記錄了硬盤盒表面溫度（也是SSD芯片向外的一面），在錄制第二十分鐘時(shí)，表面最高約為31.2℃，而到了30分鐘時(shí)，表面最高溫度約為31.1℃，可說(shuō)是相當(dāng)涼快。

外錄時(shí)硬盤盒表面溫度（第20分鐘）

外錄時(shí)硬盤盒表面溫度（第30分鐘）

接下來(lái)是加載3A游戲速度測(cè)試了，為了量化測(cè)試，測(cè)試的是SSD加載《Far cry 6》Benchmark速度，時(shí)間從點(diǎn)擊“在硬件檢測(cè)中測(cè)試”開始算起，直到Benchmark畫面出現(xiàn)結(jié)束，設(shè)置為2.5K分辨率、最高特效，VD10耗時(shí)只要10.6秒。

最后一項(xiàng)性能測(cè)試Photoshop加載24.6GB的NASA星空?qǐng)D，時(shí)間從把照片拖到PS算起，至PS顯示圖片結(jié)束（渲染時(shí)間不計(jì)算在內(nèi)），實(shí)際耗時(shí)為13.8秒，表現(xiàn)相當(dāng)不錯(cuò)。

在從GH7外錄視頻測(cè)試中，VD10溫控表現(xiàn)相當(dāng)不錯(cuò)，如果提升VD10的負(fù)載又會(huì)如何呢。我們?cè)赑C進(jìn)行了進(jìn)一步測(cè)試，撤去VD10所有外部散熱措施，僅僅依靠SSD自身（包括自帶貼紙）進(jìn)行被動(dòng)散熱，測(cè)試AIAD64 Linear Write耗時(shí)。

在撤去外部散熱措施以及環(huán)境溫度21℃下，VD10測(cè)試耗時(shí)從37分16秒增加42分44秒，在測(cè)試快要結(jié)束時(shí)SSD表面最高溫度78.6℃，對(duì)于順序?qū)懭肫?000 MB/s的SSD來(lái)說(shuō)表現(xiàn)不錯(cuò)，如果鎧俠放寬對(duì)溫度的限制，說(shuō)不定能夠在不降速下完成AIAD64 Linear Write測(cè)試

總結(jié)

對(duì)于PCIe 5.0 SSD來(lái)說(shuō)，翻倍的讀寫速度無(wú)疑是最大噱頭，但是并非所有設(shè)備都能承受超高速帶來(lái)的高發(fā)熱，比如說(shuō)日益流行的Mini PC、游戲筆記本電腦。

鎧俠EXCERIA PLUS G4（VD10）實(shí)測(cè)順序讀取達(dá)10257 MB/s，寫入速度也有8477 MB/s，超過(guò)旗艦級(jí)PCIe 4.0 SSD一截，而且在發(fā)熱量不高，即使在空間有限的Mini PC、游戲本中有全速運(yùn)行的潛力，是一款可以勝任不同場(chǎng)景的PCIe 5.0 SSD。